Eversipn STT-MRAM的MJT細胞

業界一直在尋求取代SRAM。其中之一包括自旋轉移力矩MRAM（STT-MRAM）。新的存儲器帶來了一些大膽的主張。例如STT-MRAM具備SRAM的速度和閃存的無波動性，具備無限的耐用性。
 

圖1.STT-MRAM的MJT細胞

 
everspin已經爲SSD提供SST-MRAM設備。此外一些芯片製造商正專一於嵌入式STT-MRAM，它分爲兩個市場，嵌入式閃存替代和緩存。
 
STT-MRAM是具備磁隧道結（MTJ）存儲器單元的單晶體管架構。它利用電子自旋的磁性在芯片中提供非揮發性特性。寫入和讀取功能在MTJ單元中共享相同的並行路徑。
 
爲此STT-MRAM正準備取代嵌入式NOR閃存芯片。此外，STT-MRAM旨在取代SRAM，至少用於L3緩存。STT-MRAM正在不斷髮展，以更密集地嵌入到SoC中，其更小的單元尺寸，更低的待機功率要求和非易失性提供了一個引人注目的價值主張，針對用做通用板載存儲器和最後級別的大得多且易變的SRAM緩存。
 
但STT-MRAM的速度還不足以取代SRAM用於L1和/或L2緩存，還包括穩定性。咱們相信STT-MRAM，訪問時間將在5ns到10ns之間飽和。當你進入L1和L2緩存時，咱們相信你須要去SOT-MRAM。
 
相似於STT-MRAM，SOT-MRAM仍處於研發階段。不一樣之處在於SOT-MRAM在器件下集成了SOT層。根據Imec，它經過在相鄰的SOT層中注入面內電流來引發層的切換。
 
當你切換STT-MRAM，須要經過MTJ推進當前，在內存主任IMEC。在SOT-MRAM中，你有兩條路徑，一條用於寫入，另外一條用於讀取。讀取就像STT。你通讀了MTJ。寫不是經過MTJ。這是一個很大的好處，由於您能夠循環設備並對其進行優化以延長使用壽命。第二大優點是速度。我司Everspin代理不一樣容量的MRAM存儲芯片.