外擴SRAM IS62WV102416EBLL

時間 2021-01-18

標籤 sram 芯片內存結構简体版

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IS62WV102416EBLL是低功耗16M位靜態SRAM，以1024Kx16位組織。它採用的高性能CMOS技術製造。這種高度可靠的過程與創新的電路設計技術相結合，可以生產出高性能和低功耗的存儲器件。當處於高電平（取消選擇）或CS2爲低電平（取消選擇）或處於低電平時，CS2均爲高電平且兩者均爲高電平時，器件假定在待機模式下，可以通過CMOS輸入電平來降低功耗。使用芯片使能和輸出使能輸入可輕鬆擴

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