ose pse

 如圖中所示，Gate A與GateB 周圍POLY環境的不同便會導致PSE，65nm以下工藝，A和B參數差別會很大，加C作爲DUMMY之後，B 和A周圍POLY環境基本一致，參數也會較爲接近。OSE原理也相近。 其實可以理解爲擴散、注入等過程中，邊緣濃度與中間會有很大的差別，所以需要周圍加足夠多的dummy，加的越多，中間器件的差別自然越小。

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