微電子專業術語解析

******************************微電子專業術語*********************************
CSP 封裝：CSP（Chip Scale Package）芯片級封裝。是最新一代的內存芯片封裝技術。

CSP封裝可讓芯片面積與封裝面積之比超過1：1.14，已經至關接近1：1的理想狀況，
絕對尺寸也僅有32平方毫米，約爲普通的BGA的1/3，僅僅至關於TSOP內存芯片面積的1/6。
與BGA封裝相比，同等空間下CSP封裝能夠將存儲容量提升三倍。

光刻：IC生產的主要工藝手段，指用光技術在晶圓上刻蝕電路。

DSP芯片：也稱數字信號處理器，是一種具備特殊結構的微處理器。

DSP芯片的內部採用程序和數據分開的哈佛結構，具備專門的硬件乘法器，普遍採用流水線操做，
提供特殊的DSP指令，能夠用來快速的實現各類數字信號處理算法。

SOC：System On a Chip，片上系統。

CPLD：Complex Programmable Logic Device,負責可編程邏輯器件。

FPGA：FPGA(Field Programmable Gate Array ) 現場可編程門陣列，它是PAL、GAL、EPLD等可編程器件的基礎上進一步發展的產物。
它是做爲專用集成電路（ASIC）領域中的一種半定製電路而出現的，既解決了定製電路的不足，又克服了原有可編程器件門電路數有限的缺點。

PGA採用了邏輯單元陣列LCA(Logic Cell Array )這樣一個新概念，內部包括可配置邏輯模塊CLB( Configurable Logiic Block)、
輸入輸出模塊IOB(Input Output Block)和內部連線（Interconnect）三個部分。

MARM(Magnetic Random Access Memory) 是一種非揮發性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，
以及動態隨機存儲器（DRAM）的高集成度，並且基本上能夠無限次地重複寫入。

IC封裝：指把硅片上的電路管腳用導線接引到外部接頭處，以便與其它器件鏈接。

晶圓：多指單晶硅圓片，由普通硅沙拉制提煉而成，是最經常使用的半導體材料，按其直徑分爲4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等規格，
近來發展出12英寸甚至更大的規格。晶圓越大，同一圓片上可生產的IC就多，可下降成本，但要求材料技術和生產技術更高。

IC前工序:IC製造工程中，晶圓光刻的工藝（即所謂流片），被稱爲前工序，這是IC製造的最要害技術。

IC後工序:晶圓流片後，其切割、封裝等工序被稱爲後工序。

IC工藝線寬：是指IC生產工藝可達到的最小導線寬度，是IC工藝先進水平的主要指標。線寬越小，集成度就高，
在同一面積上就集成更多電路單元。4微米、1微米、0.6微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.15微米、0.13微米、0.11微米等，

芯片：咱們一般所說的"芯片"是指集成電路，它是微電子技術的主要產品。微電子技術涉及的行業不少，
包括化工、光電技術、半導體材料、精密設備製造、軟件等，其中又以集成電路技術爲核心，包括集成電路的設計、製造。

IC分類：IC按功能可分爲：數字IC、模擬IC、微波IC及其餘IC，其中，數字IC是近年來應用最廣、
發展最快的IC品種。數字IC就是傳遞、加工、處理數字信號的IC，可分爲通用數字IC和專用數字IC。

通用IC：是指那些用戶多、使用領域普遍、標準型的電路，如存儲器（DRAM）、微處理器（MPU）及微控制器（MCU）等，反映了數字IC的現狀和水平。

專用IC（ASIC）：是指爲特定的用戶、某種專門或特別的用途而設計的電路。

TI:德州儀器，是一家全球化半導體設計與製造企業

EDA:電子設計自動化(Electronic Design Automation)是近幾年來發展起來的軟件、硬件和微電子技術交叉造成的現代電子設計技術。

ESR:equivalent series resistance的縮寫，意爲等效串聯電阻。?在實際電路中，對電容ESR的重視主要是針對電解電容，
這是由於它對電路可否正常工做影響較大。
一、什麼是ESR？
任何一個電容都會存在ESR，在電容電極之間始終都存在着一個電氣性的電阻，如金屬引腳電阻、電極極板電阻、以及它們之間的鏈接電阻等等。?
鋁電解電容還包括存在於溼的電解質溶液的電阻、以及含有高電平「水」的鋁氧化物（水合氧化鋁）中的電阻等。

EMC（Electromagnetic Compatibility）：電磁兼容性的縮寫。 是一個設備或裝置與其它裝置同時操做時，不會由於電磁干擾問題而影響正常工做之能力。EMC(電磁兼容性)也包括 EMI（電磁干擾）和 EMS（電磁耐受性）