7n65場效應管參數-7N65參數代換KIA4665

一、7N65場效應管參數 KIA7N65功率MOSFET是採用起亞半導體先進的平面條紋DMOS技術生產的。這種先進的技術已特別定製，以儘量減少對狀態的阻力，提供優越的開關性能，並在雪崩和換相模式下承受高能脈衝。設備非常適合於高效率的開關電源，有源功率因數校正基於半橋的拓撲結構。 (1)RDS(on)=1.2Ω @ VGS=10V (2)低柵電荷（典型的29Nc） (3)高堅固度 (4)快速切換 (

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