延續摩爾定律: 新型超平面錫氧半導體材料有望讓芯片提速百倍

近年來，半導體行業總是籠罩在摩爾定律難以爲繼的陰霾之下，但是新材料的出現，或可讓它迎來又一個拐點。美國猶他州大學的工程師們，已經發現了一種由一氧化錫製成、只有單原子厚度的新型平面材料。這種材料可讓電荷以更快的速度通過，遠勝硅與其它3D材料。相比之下，在傳統電子設備上，電荷會以各個方向穿過晶體管、以及玻璃襯底上其它由硅層組成的部件。 採用錫氧材料打造的更快的半導體器件 直到近年，工程師們才更多地將目

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