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百爲STM32開發板教程之十一——NOR FLASH 參考文檔: 百爲stm32開發板光盤\st官方參考資料\Application notes\AN2784 Using the high-density STM32F10xxx FSMC peripheral to drive external memories.pdf 百爲stm32開發板光盤\芯片數據手冊\M29W128G.pdf 百爲stm32開發板光盤\芯片數據手冊\STM32F10xxx參考手冊CD00171190.pdf 實驗目的: 實現擦除和讀寫M29W128GH NOR FLASH的第二個塊 主要內容: 1、瞭解STM32的FSMC接口 2、瞭解M29W128GH NOR FLASH的相關操做 3、編程實現擦除並讀寫M29W128GH NOR FLASH的第二個塊 1、瞭解STM32的FSMC接口 一、STM32 FSMC功能框圖: FSMC主要包括有:AHB接口(包含FSMC配置寄存器) , NOR閃存和PSRAM控制器,NAND閃存和PC卡控制器,外部設備接口 二、STM32 FSMC外部設備地址映射: 從FSMC的角度看,能夠把外部存儲器劃分爲固定大小爲256M字節的四個存儲塊,見下圖 ● 存儲塊1用於訪問最多4個NOR閃存或PSRAM存儲設備。這個存儲區又被劃分爲4個NOR/PSRAM區,並有4個專用的片選。 ● 存儲塊2和3用於訪問NAND閃存設備,每一個存儲塊鏈接一個NAND閃存。 ● 存儲塊4用於訪問PC卡設備 每個存儲塊上的存儲器類型是由用戶在配置寄存器中定義的。 其中存儲塊1用於NOR/PSRAM存儲設備。這個範圍又能夠分爲4個小範圍 ,每一個小範圍對應STM32的一個管腳/片選,FSMC_NEx(x=1,2,3,4) (1) HADDR是須要轉換到外部存儲器的內部AHB地址線。 咱們百爲STM3210E-EVAL開發板的M29W128 NOR FLASH用的是FSMC_NE2 因此地址爲0x60000000 | 0x1<<26 = 0x64000000, 其中0x1就是內部的地址線HADDR[27:26]的值01。 HADDR[25:0]包含外部存儲器地址。HADDR是字節地址,而存儲器訪問不都是按字節訪問,所以接到存儲器的地址線依存儲器的數據寬度有所不一樣,以下表: 因此在輸出NOR FLASH地址時要左移動1位: NOR_WRITE(ADDR_SHIFT(0x0555), 0x00AA); #define ADDR_SHIFT(A) (Bank1_NOR2_ADDR + (2 * (A))) 三、STM32的FSMC與M29W128GH的硬件鏈接 百爲STM3210E-EVAL開發板STM32和M29W128GH的鏈接電路圖以下: STM32和M29W128GH管腳鏈接對應以下: STM32配置NOR FLASH的IO端口及對應FSMC模塊初始化代碼: void FSMC_NOR_Init(void) { FSMC_NORSRAMInitTypeDef FSMC_NORSRAMInitStructure; FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef p; GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure; RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOD | RCC_APB2Periph_GPIOE | RCC_APB2Periph_GPIOF | RCC_APB2Periph_GPIOG, ENABLE); /*-- 配置GPIO ------------------------------------------------------*/ /* 配置NOR 數據線D[15:0] */ GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0 | GPIO_Pin_1 | GPIO_Pin_8 | GPIO_Pin_9 | GPIO_Pin_10 | GPIO_Pin_14 | GPIO_Pin_15; GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP; GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz; GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure); GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_7 | GPIO_Pin_8 | GPIO_Pin_9 | GPIO_Pin_10 | GPIO_Pin_11 | GPIO_Pin_12 | GPIO_Pin_13 | GPIO_Pin_14 | GPIO_Pin_15; GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure); /* 配置NOR 地址線A[22:0] */ GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0 | GPIO_Pin_1 | GPIO_Pin_2 | GPIO_Pin_3 | GPIO_Pin_4 | GPIO_Pin_5 | GPIO_Pin_12 | GPIO_Pin_13 | GPIO_Pin_14 | GPIO_Pin_15; GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_InitStructure); GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0 | GPIO_Pin_1 | GPIO_Pin_2 | GPIO_Pin_3 | GPIO_Pin_4 | GPIO_Pin_5; GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStructure); GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_11 | GPIO_Pin_12 | GPIO_Pin_13; GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure); GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_3 | GPIO_Pin_4 | GPIO_Pin_5 | GPIO_Pin_6; GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure); /* 配置NOE 和NWE */ GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_4 | GPIO_Pin_5; GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure); /* 配置NE2 */ GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_9; GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStructure); /*-- 配置FSMC ----------------------------------------------------*/ p.FSMC_AddressSetupTime = 0x05; p.FSMC_AddressHoldTime = 0x00; p.FSMC_DataSetupTime = 0x07; p.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00; p.FSMC_CLKDivision = 0x00; p.FSMC_DataLatency = 0x00; p.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_B; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM2; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType = FSMC_MemoryType_NOR; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode = FSMC_BurstAccessMode_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsyncWait = FSMC_AsyncWait_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &p; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &p; FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure); /* 使能FSMC Bank1_NOR Bank */ FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM2, ENABLE); } 四、STM32 FSMC的NOR讀寫時序: 讀操做時序: 寫操做時序: 這裏就是FSMC的核心內容了,從時序圖能夠看到: 讀操做時輸出A[25:0]信號和NEx,NOE等信號,輸出完這些信號後,器件就會在D[15:0]總線上返回咱們要讀的數據了 寫操做時輸出A[25:0]信號和NEx,NWE等信號,輸出完這些信號後,咱們就能夠在D[15:0]總線上發送要寫的數據了 而這些信號的控制是由FSMC來自動控制的,不須要咱們手動去控制每一個管腳,咱們只要在程序裏像操做內存同樣操做就能夠了 例如: 讀數據: Data = *(vu16 *) ADDR_SHIFT(0x0000); 寫數據: *(vu16 *)(Address) = Data; 2、M29W128GH NOR FLASH的相關操做 一、M29W128GH簡介 M29W128GH一共有128個塊,每一個塊有128K個字節(64K字)。其中最後一個塊能夠有VPP/WP管腳設定寫保護,當VPP/WP爲低電平時寫保護。 二、操做命令表 (1)讀ID命令 從命令表能夠看出讀ID命令,須要輸出3個地址和數據序列。 其中輸出3個序列後,再輸出指定的地址就能夠獲得對應的數據: 具體以下:void FSMC_NOR_ReadID(NOR_IDTypeDef* NOR_ID){ NOR_WRITE(ADDR_SHIFT(0x0555), 0x00AA); //輸出地址0x0555,數據0x00AA NOR_WRITE(ADDR_SHIFT(0x02AA), 0x0055); //輸出地址0x02AA,數據0x0055 NOR_WRITE(ADDR_SHIFT(0x0555), 0x0090); //輸出地址0x0555,數據0x0090 NOR_ID->Manufacturer_Code = *(vu16 *) ADDR_SHIFT(0x0000); //上面Table7中A3,A2,A1,A0 = 0x0000,便可讀出數據0020h NOR_ID->Device_Code1 = *(vu16 *) ADDR_SHIFT(0x0001); //上面Table7中A3,A2,A1,A0 = 0x0001,便可讀出數據227Eh NOR_ID->Device_Code2 = *(vu16 *) ADDR_SHIFT(0x000E); //上面Table7中A3,A2,A1,A0 = 0x000E,便可讀出數據2221h NOR_ID->Device_Code3 = *(vu16 *) ADDR_SHIFT(0x000F); //上面Table7中A3,A2,A1,A0 = 0x000F,便可讀出數據2201h}(2)復位/返回讀模式命令NOR_Status FSMC_NOR_ReturnToReadMode(void){ NOR_WRITE(Bank1_NOR2_ADDR, 0x00F0); //輸出任意地址,數據0x00F0 return (NOR_SUCCESS);}(3)擦除塊命令(Block Erase)NOR_Status FSMC_NOR_EraseBlock(u32 BlockAddr){ NOR_WRITE(ADDR_SHIFT(0x0555), 0x00AA); //輸出地址0x0555,數據0x00AA NOR_WRITE(ADDR_SHIFT(0x02AA), 0x0055); //輸出地址0x02AA,數據0x0055 NOR_WRITE(ADDR_SHIFT(0x0555), 0x0080); //輸出地址0x0555,數據0x0080 NOR_WRITE(ADDR_SHIFT(0x0555), 0x00AA); //輸出地址0x0555,數據0x00AA NOR_WRITE(ADDR_SHIFT(0x02AA), 0x0055); //輸出地址0x02AA,數據0x0055 NOR_WRITE((Bank1_NOR2_ADDR + BlockAddr), 0x30); //擦除指定的地址BlockAddr的內容 return (FSMC_NOR_GetStatus(BlockErase_Timeout));}(4)寫命令NOR_Status FSMC_NOR_WriteHalfWord(u32 WriteAddr, u16 Data){ NOR_WRITE(ADDR_SHIFT(0x0555), 0x00AA); //輸出地址0x0555,數據0x00AA NOR_WRITE(ADDR_SHIFT(0x02AA), 0x0055); //輸出地址0x02AA,數據0x0055 NOR_WRITE(ADDR_SHIFT(0x0555), 0x00A0); //輸出地址0x0555,數據0x00A0 NOR_WRITE((Bank1_NOR2_ADDR + WriteAddr), Data); //寫16 bit數據到指定地址WriteAddr return (FSMC_NOR_GetStatus(Program_Timeout));}(5)讀命令,不存在讀命令了,直接讀指定地址數據就能夠了*pBuffer++ = *(vu16 *)((Bank1_NOR2_ADDR + ReadAddr));3、編程實現擦除並讀寫M29W128GH NOR FLASH的第二個塊/* main.c */ /* 打開FSMC時鐘 */ RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC, ENABLE); /* 初始化FSMC Bank1 NOR/SRAM2 */ FSMC_NOR_Init(); /* 讀M29W128GH ID */ FSMC_NOR_ReadID(&NOR_ID); /* 復位/返回讀模式 */ FSMC_NOR_ReturnToReadMode(); /* 擦除要寫入的塊 */ FSMC_NOR_EraseBlock(WRITE_READ_ADDR); /* 填充要寫入的數據到TxBuffer */ Fill_Buffer(TxBuffer, BUFFER_SIZE, 0x3210); /* 寫數據到NOR FLASH中 */ FSMC_NOR_WriteBuffer(TxBuffer, WRITE_READ_ADDR, BUFFER_SIZE); /* 從NOR FLASH中讀出數據 */ FSMC_NOR_ReadBuffer(RxBuffer, WRITE_READ_ADDR, BUFFER_SIZE); /* 比較寫入的數據和讀出的數據看是否相等*/ for (Index = 0x00; (Index < BUFFER_SIZE) && (WriteReadStatus == 0); Index++) { if (RxBuffer[Index] != TxBuffer[Index]) { WriteReadStatus = Index + 1; } } if (WriteReadStatus == 0) { /* 若是相等,點亮LED1 */ GPIO_SetBits(GPIOF, GPIO_Pin_6); } else { /* 不然,點亮LED2 */ GPIO_SetBits(GPIOF, GPIO_Pin_7); } |