PN8368應用領域及工做範圍

　　PN8368集成超低待機功耗準諧振原邊控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用於高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8368爲原邊反饋工做模式，可省略光耦和TL431。內置高壓啓動電路，可實現芯片空載損耗（230VAC）小於30mW。在恆壓模式，採用準諧振與多模式技術提升效率並消除音頻噪聲，使得系統知足6級能效標準，可調輸出線補償功能能使系統得到較好的負載調整率；在恆流模式，輸出電流和功率可經過CS腳的電阻進行調節。該芯片提供了極爲全面的智能保護功能，包含逐週期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護等。

　　應用領域:
　　開關電源適配器
　　電池充電器
　　機頂盒電源

　　極限工做範圍:
　　VDD 腳耐壓：-0.3~40V
　　FB,CS 腳耐壓：-0.3~5.5V
　　SW 腳耐壓：-0.3~650V
　　結工做溫度範圍：-40~150℃
　　存儲溫度範圍：-55~150℃
　　管腳焊接溫度（10秒）：260℃
　　封裝熱阻 RθJC（SOP-7）：80℃/W
　　人體模式 ESD 能力(1)（HBM）：±4kV
　　漏極脈衝電流（Tpulse=100us）：2A

　　典型應用電路：

　　外圍參數選擇參考
　　爲了更好體現 PN8368 的性能，請務必遵照如下規則：
　　1. VDD 電容 EC1 應放置在距離 VDD 引腳和 GND 引腳最近的地方。