關於內存與顯存

  內存 Memory DRAM-Dynamic Random Access Memory 基本原理 利用電容內存儲的電荷多寡代表0與1 每個bit只用到一個晶體管加一個電容 但電容會漏電，因此內存需要週期性刷新 同時電容充放電需要過程，因此刷新頻率不可能無限提升 因此DRAM頻率很容易達到上限，即便工藝先進也收效甚微 內存的三種頻率 核心/IO/等效 通常所說的DDR3-1600並非真正頻率，而

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