STD45NF75T4特徵應用說明

　　STD45NF75T4簡介：
　　這種功率MOSFET是ST微電子最新發展的獨特的「單特徵尺寸」條帶製程。
　　所獲得的晶體管顯示出極低的on電阻、堅固的雪崩特性和較低的臨界對準步驟的封裝密度極高，所以具備可標記的製造重現性。

　　特徵說明：
　　典型的RDS(on) = 0.018Ω
　　100%雪崩測試
　　門費用最小化
　　表面安裝DPAK (TO-252)帶卷電源包(後綴爲T4)

　　應用：
　　高電流,開關
　　應用程序

　　內部原理圖：