CMOS工藝，Al/Si接觸中的尖楔現象

1. Si在Al中的擴散 Si在Al中的溶解度比較高，在400-500℃退火溫度範圍內，Si在Al薄膜中的擴散係數比在晶體Al中大40倍。這是因爲Al薄膜通常爲多晶，雜質在晶界的擴散係數遠大於在晶粒內的擴散係數。  2. Al/Si接觸中的尖楔現象 由於硅在鋁中的溶解度較大，Si在Al膜的晶粒間界中快速擴散離開接觸孔的同時，Al也會向接觸內運動、填充因Si離開而留下的空間。如果Si不均勻地溶解到A

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