機組概念——RAM

半導體隨機存儲器RAM 半導體的類型和特點 關於DRAM的問題 1.DRAM多久需要刷新？ 刷新週期：一般爲2ms 2.每次刷新多少存儲單元？ 以行爲單位，每次刷新一行存儲單元。 3.爲什麼要用行列地址？ 減少選通線的數量； 存儲器的簡單模型是以行模型，n位地址需要用2^n根選通線； 而行列地址譯碼器將地址拆分爲（DRAM行，列地址等長），則n位地址只需要2^n/2(行) +2^n/2(列)。 4

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