硬件設計21之高速電路設計DCDC電源
時間：2018.4.7 作者：Tom 工作：HWE 說明：本文主要是學習王劍宇的《高速電路設計實踐》，已註明轉載。 MOSFET屬於單極型壓控器件，工作時，在柵極上消耗的電流極小。且其工作原理只涉及 多數載流子（多子），不受少子的影響。因此其影響速度和功率效率都高於三極管。
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