S3C2440的內存管理

SDRAM對本身來講是個新東西，因此讀起來並不輕鬆。

這個RAM的分類有SRAM和DRAM，分別是靜態RAM和動態RAM，兩個的內部構造不同，能夠百度一下。而SDRAM則是同步的動態RAM，同步的好處就是與處理器控制匹配，操做起來就容易多。下面看看S3C2440的內存控制是怎麼樣的，下面截圖是一個概述。

S3C2440的內存圖根據是否由NAND FLASH來啓動有不一樣區別，下圖展現了2440復位後的內存分佈圖。這裏有個疑問，看見說能夠NOR FLASH啓動，還有SDRAM中運行程序，那麼這兩個是屬於那部分呢？之後深刻再說吧。

從圖能夠看出啓動不一樣時Boot Internal位置是不一樣的。

前文說到有個bank能夠靈活的配置，這個bank就是bank7,它的配置是依據bank6來進行的。下圖進行了說明：

bank0的數據線寬度是固定的16位或24位。由於bank0（內存地址中的0x0000_0000）用做啓動區，因此在上電以前就要肯定它的數據線寬度。

寬度有兩個引腳OM[0:1]的電平決定。

CPU的地址線與外圍SRAM,SDRAM內存地址線的鏈接也是有講究注意的。分別是8位、16位和32位。下圖說明：

這裏爲何8位就從A0開始，而其它的就從由於A1,A2分別開始。是這個緣由，以16位進行說明。首先CPU尋址空間，字節爲存儲容量的基本單位。一個16位數據線的SDRAM，能夠認爲它的存儲基本單位是2個字節。這樣對於16位SDRAM，A0：A1=01時，對應2440的A2:A1=01.A0好像就是2個字節的基數這個意思，能夠省略掉。個人板子是用到了兩片16位SDRAM構成32位，因此鏈接方式是最後一種。下面的截圖是個人原理圖中SDRAM的鏈接方法。

其中BA0與BA1與ADD24和ADD25相連，表明SDRAM最高地址位。由於兩個32M的SDRAM合併成64M空間，那麼按照計算就須要26根數據線。13根行地址線與9根列地址線=22根，加上這個SDRAM的存儲單元是2個字節，就又至關於多了一根地址線，最後BA0,BA1爲最高地址位。合起來就能夠尋址64M了。

跟內存控制的寄存器BWSCON，BANKCONx(x=0~5),BANKCONx(x=6~7),REFRESH,BANKSIZE,MRSRBx(x=6~7).下面分別簡要說明。

BWSCON（位寬和等待控制寄存器）：

這個寄存器設定各個存儲塊數據寬度和WAIT使能。截圖一部分看看其中含義吧。

其中每四位控制一個BANK，注意的是BANK0由於是啓動區有些特殊。截圖以下：

DW只讀，有前文講到的OM引腳決定。

BANKCONx(x=0~5)（BANK控制寄存器）：

該寄存器控制一些跟SDRAM的相關的時間參數。截圖以下：

01位PMC跟頁模式有關，暫時不知道幹什麼用的。（跟MMU有關？）

BANKCONx(x=6~7)（BAMK控制寄存器）

由於設計到能夠控制SDRAM，因此BANK6/7與前面5個不太同樣。

REFRESH刷新控制寄存器

這個寄存器的存在是爲SDRAM服務的，由於DRAM的特性決定了它須要不停的刷新來保存數據。

SDRAM行週期時間公式爲Trc = Tsrc + Trp

刷新時間公式爲上圖也有說明:刷新時間=（2^11-刷新計數值+1）/HCLK。好比咱們使用的SDRAM刷新週期=64ms/8192=7.8125us,HCLK=199MHz時，刷新計數值 = 2^11 - 100x7.8+1=1269。16進製爲0x4F5,則上圖寄存器中0到10位的Refresh Counter值爲0x4F5.

BANKSIZE存儲塊大小控制器

MRSRBx(x=6~7)SDRAM模式設置寄存器

這個主要是跟SDRAM有關。

只有CL[6:4]能夠修改。其它都是固定的。

上面的寄存器就是涉及到內存管理的一些重要寄存器。

由於個人機子配置的是兩塊SDRAM，共64M。因此主要的操做設計到SDRAM，而不是SRAM。

其實仍是對內存控制這裏仍是有不少不懂，只有之後隨着學習繼續理解了。未完待續。。。