CMOS設計手冊基礎篇

模擬CMOS 襯底噪聲：由於相鄰的電阻互相注入電流而產生的襯底噪聲。解決方法：在兩個電阻之間加入一個P+注入區（作爲P襯底晶圓的襯底接觸）。P+注入區保護電路免受載流子的影響，由於注入區是一個環形，所以成爲保護環。 共質心版圖 共質心（共同的中心）版圖有助於改善兩電阻之間的匹配性能（代價是兩元件之間具有不均勻的寄生特性），另外，共質心也能改善MOS和電容的匹配性能。 3.MOS電容 堆積 （VGS

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