內存延遲時間決定了內存的性能,這個參數越小,內存性能越好。內存延遲一般採用4個數字表示,中間用「-」隔開,以「10-10-10-27」爲例,第一個數表明CAS(Column Address Strobe)延遲時間,也就是內存存取數據所需的延遲時間,即一般說的CL值;第二個數表明RAS(Row Address Strobe)-to-CAS延遲,表示內存行地址傳輸到列地址的延遲時間;第三個數表示RAS Prechiarge延遲(內存行地址脈衝預充電時間);最後一個數則是Act-to-Prechiarge延遲(內存行地址選擇延遲)。這4個延遲中最重要的指標是第一個參數CAS,它表明內存接收到一條指令後要等待多少個時間週期才能執行任務,就像開車從發現危險到剎車同樣須要必定的反應時間。這個時間只有長短之分而不可能消除,內存的CL值也不可能消除,通常來講頻率相同的內存CL值越小性能就越高。
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SPD測試 SPD(Serial Presence Detect串行存在探測),它是1個8針的SOIC封裝(3mm*4mm)256字節的EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM電可擦寫可編程只讀存儲器)芯片。裏面記錄了諸如內存的速度、容量、電壓與行、列地址帶寬等參數信息。SPD的信息通常用戶不能修改,可是若是有必要也能夠經過一些專門的軟件(例如SPDTOOL等)對其進行刷新。url |