英特爾發佈4款3D閃存SSD，稱密度有史以來最高

英特爾已經推出了自己的首款3D NAND SSD，升級了三款NVMe SSD，有4個型號，並宣稱擁有業界密度最高的3D NAND。

現有的DS P3500、P3600和P3700產品採用20納米MLC閃存技術，P3500和P3600是在2014年6月推出，P3700是在去年9月推出，一同發佈的還有P3608（一個SSD包中有兩個P3600）。

DC P3500（DC的意思是數據中心）被P3320和即將推出的P3500取代，現有的P3600和P3700將被DC D3600和DC D3700取代。

這裏英特爾說的最高密度，是英特爾/美光浮柵單元技術的Gb/mm2要高於SanDisk和三星的電荷捕獲技術。最終芯片的密度是否要高於三星——目前唯一出貨3D NAND的提供商——則是另一回事。

我們不能想當然地認爲英特爾的3D NAND芯片密度高於三星的V-NAND芯片（目前是48層，256Gbit）。三星上一代的3D V-NAND採用32層，128Gbit芯片。英特爾目前還沒有公佈自己3D NAND芯片的容量。

不管是英特爾，還是它的晶圓合作伙伴美光，都公佈了單元光刻納米測量，但顯然要大於所取代的20納米MLC平面技術。英特爾說，P3320/3520採用TLC NAND。

英特爾已經提供了多數新產品的讀寫性能數據，但是沒有公佈延遲或者壽命，這引發了一個問題，這些新產品是否要比它們替代的產品更好？（一個X-IO性能筆記稱，800GB D3700支持每天10次驅動器寫入。）

總的來說，英特爾稱自己的3D NAND提供了1.3倍的讀寫次數。下面這個表格羅列了新老產品的一些基礎細節：

綠色行是新產品

DC P3500被相同容量的DC P3320和DC P3520取代，P3520聽起來顯示P3320，但是目前階段英特爾並沒有提供任何性能數據，只說它的性能和延遲要顯著高於P3320。

英特爾表示，D3600和D3700是首款雙動雙端口NVMe SSD，提供了性能上的突破。英特爾表示，雙端口可實現高可用的存儲控制器。

性能

讓我們來看看以下數據：

綠色行是新產品

我們實在不能認同性能突破這個說法，如果對比P3600和D3600的話。D3600的隨機IO性能表現要由於P3600，但是連續IO性能要差一些。D3700的隨機寫性能和連續IO性能要比P3700差，只在隨機讀IO方面佔優。

P3320要比P3500慢，P3520可能接近P3500或者略快一些。英特爾表示，三款驅動器提供了最佳的IOPS價值。英特爾將P3320定位爲讀密集型的「暖」存儲，聽起來像是類似近線磁盤存儲的閃存。P3520主要針對在線和超融合系統使用實例。

英特爾宣稱，這兩款新的SSD在所有IO共享中最高佔有98%，相同的性能特點，生命週期內性能降低小於5%。

X-IO Technologies提供了SAS SSD與P3700產品對比的一些性能數據*。

看起來不錯，但這並不是同等的對比，而是把NVMe SSD與SAS SSD進行對比。

現在X-IO有新升級的ISE，採用DC D3700 SSD的產品。

總結

英特爾沒有提供這些3D NAND SSD的容量更新，性能改進也只是針對隨機讀寫，而不是連續IO，這一點並不令人印象深刻；何必呢？我們想像一下，3D NAND產品是（或者將要）比同等容量的磁盤產品便宜，而且第二代3D NAND將提高容量，也許是2倍或者3倍。

這些3D閃存SSD並不是英特爾在這個競爭激烈的領域放出的第一彈。讓我們看看WDC/SanDisk以及東芝的產品，看看他們和英特爾是否可以在容量方面趕超三星。

* X-IO存儲陣列系統採用Xeon E52699v3，40個英特爾DC D3700 10 DWPD 800GB，還有存儲陣列系統採用至強E52699v3，40個SAS 10 DWPD 400GB SSD。在共享存儲陣列的QD 1,2,4訪問1捲上，測試80/20 Read/Write工作負載的-8K傳輸。測量工具是IOMeter。

原文發佈時間爲： 2016年04月01日

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