新型存儲器與傳統存儲器介質特性對比

目前新型存儲器上受到普遍關注的新型存儲器主要有相變存儲器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯合研發的3D Xpoint爲表明;MRAM以美國Everspin公司推出的STT-MRAM爲表明;阻變存儲器ReRAM，目前暫無商用產品，其表明公司是美國的Crossbar。

上述新型存儲器已被研究了近數十年，只是相對於早已產業化的隨機存儲sram、DRAM存儲器、和NAND Flash，還未能大規模商用。存儲器產業將來的技術發展方向還是未知數。

在非易失性MRAM存儲器方面，Everspin MRAM已經有產品應用於航空航天等特定領域，並於2019年開始與格芯合做，試生產28nm製程的1Gb STT-MRAM產品。ReRAM存儲器仍然還沒有商用，初創公司如Crossbar則正致力於其產業化的進程。

當前的新型存儲器尚不具有替代DRAM芯片或Nand閃存的能力，市場主要集中於低延遲存儲與持久內存。分別比較3種存儲的介質特性以下表所示。

表 新型存儲及傳統存儲特性對比

MRAM具備最好的讀寫速率和使用壽命，從理論上有機會替代如今的內存芯片和外存，可是因爲涉及量子隧穿效應，大規模製造難以保證均一性，存儲容量和良率爬坡緩慢。在工藝取得進一步突破以前，宇芯提供的Everspin MRAM芯片的產品主要適用於容量要求低的特殊應用領域以及新興的IoT嵌入式存儲領域。