物聯網ram繼承PSRAM的積極特性

IoT RAM便是物聯網RAM,是基於PSRAM技術的技術，它增長了其餘接口選項，例如大多數MCU/FPGA使用的低引腳數Flash SPI接口，以及SoC須要的易於使用的系統級封裝（SiP）選項比內部SRAM更大的內存。

物聯網ram繼承了PSRAM的積極特性-結合了一個相對簡單的SRAM接口和DRAM存儲單元技術，該接口簡化了產品設計，與SRAM相比下降了產品成本（下降了10倍），而且與SRAM相比具備更高的密度10倍IoT RAM還具備低延遲–容許從超低功耗模式快速喚醒和快速上電時間；也能夠從待機模式瞬時喚醒；IoT RAM還容許超低電流消耗–一般<0.15至0。5uA/Mb取決於密度。密度越高，固定功率開銷趨勢就越低。

圖1 IoT RAM在須要擴展內存的IoT/嵌入式應用程序中佔據了最佳中間地帶

因爲PSRAM解決了與IoT/嵌入式應用中相似的設計約束，所以能夠在功能電話產品中找到一席之地。物聯網RAM基於PSRAM並經過低引腳數SPI或SiP選項進行接口，是須要性能，低成本和響應性的基於MCU/SoC/FPGA的功率受限解決方案的理想選擇。利用低引腳數的SPI接口，能夠進一步提升基於MCU/SoC/FPGA的設備的系統成本效率。

AP Memory具備成本效益的IoT RAM解決方案與大多數MCU/SoC/FPGA隨附的SPI接口兼容，包括Quad-SPI和Octal-SPI接口。經過「系統級封裝」（SiP）選項，AP內存啓用了「超越摩爾」，這是增長系統內存的另外一種方法。