SiC肖特基的電流密度提高了50%，浪涌額定值也提高了50%

東芝電子歐洲公司（Toshiba Electronics Europe）推出了基於該公司第二代碳化硅（SiC）半導體技術的新型肖特基勢壘二極管（SBD）。這些SBD提供的電流密度比第一代設備高出50%，可以處理更高的正向浪涌電流。 在高速功率開關設計中，使用SiC半導體有助於設計者提高效率、減少散熱和節省空間。甚至在高電壓和高電流條件下，SiC功率器件也能在比硅替代品更寬的溫度範圍內穩定工作。 通

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