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RRAM:閃存技術的終結者?
時間 2020-12-31
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RRAM,阻變式存儲器(Resistive Random Access Memory)的簡稱, RRAM是一種「根據施加在金屬氧化物(Metal Oxide)上電壓的不同,使材料的電阻在高阻態和低阻態間發生相應變化,從而開啓或阻斷電流流動通道,並利用這種性質儲存各種信息的內存,其可顯著提高耐久性和數據傳輸速度的可擦寫內存技術,也被認爲是電路的第四種基本元件,僅次於電阻器、電容器及電感元件。 與所有
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