RRAM：閃存技術的終結者？

RRAM，阻變式存儲器(Resistive Random Access Memory)的簡稱， RRAM是一種「根據施加在金屬氧化物(Metal Oxide)上電壓的不同，使材料的電阻在高阻態和低阻態間發生相應變化，從而開啓或阻斷電流流動通道，並利用這種性質儲存各種信息的內存，其可顯著提高耐久性和數據傳輸速度的可擦寫內存技術，也被認爲是電路的第四種基本元件，僅次於電阻器、電容器及電感元件。 與所有

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