MRAM關鍵工藝步驟

非易失性MRAM芯片組件通常在半導體晶圓廠的後端工藝生產，下面介紹關於MRAM關鍵工藝步驟包括哪幾個方面. (1)底部電極的形成(參考圖1)：經由傳統圖案化與鑲嵌工藝形成的底部電極層需要拋光至平坦，併爲MTJ堆棧沉積提供超光滑的表面。在這個步驟中，測量和控制底部電極的平滑度對組件性能至關重要，必須控制和監控金屬電極的最終高度，同時也必須毫無缺陷。 圖1：MRAM底部電極(BE)形成。 (2) MT

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