固態硬盤相關知識

SLC、MLC、TLC閃存芯片的區別：
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格超貴（約MLC 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度通常壽命通常，價格通常，約3000---10000次擦寫壽命
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速度慢壽命短，價格便宜，約500次擦寫壽命，目前尚未廠家能作到1000次。

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關於速度：
SLC速度最快，MLC速度比TLC更快。但也有資料顯示，MLC是否是比TLC快要看製程的，新制程的TLC比老的MLC快多了，不過壽命的確是MLC要長點。
關於擦寫次數：
「TLC芯片」只能寫500次並不是意味着U盤拔插500次就完蛋了！簡單舉例，假設一個8G U盤，往裏面寫入8G，就算一次；清空寫入3G，算第二次，在清空寫入5G，仍然算第二次；再寫入1G，那如今就開始算第三次。
換個角度來理解，假設8G U盤一輩子只能擦寫500次，那麼這個U盤一輩子理論上能夠重複裝載4000G 文件。而MLC芯片的U盤一輩子最少都能裝載2.4萬G到8萬G。這就是爲何說TLC芯片的U盤相對短命的緣由。
關於TLC：
X3(3-bit-per-cell)架構的TLC芯片技術是MLC和TLC技術的延伸，最先期NAND Flash技術架構是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1個存儲器儲存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料，直到MLC(Multi-Level Cell)技術接棒後，架構演進爲1個存儲器儲存單元存放2位元。