模塊學習筆記-IR2110/IR2130（上）

 

 

 

引言

IR2110 / IR2113是高壓，高速功率MOSFET和IGBT驅動器，具備獨立的高端和低端參考輸出通道。邏輯輸入與標準CMOS或LSTTL輸出兼容，低至3.3V邏輯。浮動通道可用於驅動高端配置的N溝道功率MOSFET或IGBT，其工做電壓高達500或600伏。

1、關鍵參數

1.1 IR2110關鍵參數

根據上面參數可知，IR2110驅動的功率開關管最高能夠工做在500V電壓下，IR2113驅動的功率開關管最高能夠工做在600V電壓下。

2、器件特徵

2.1 IR2110/IR2113的特徵

該器件專門用於驅動相似於半橋結構的自舉驅動；驅動輸出電壓範圍爲10-20V，能夠應用於大多數IGBT和MOSFET驅動。具有低壓鎖存功能；寬供電範圍（3.3V-20V）；輸入輸出同相位。

2.2 IR2110/IR2113框圖

圖2-1 IR2110/IR2113功能框圖（Functional Block Diagram

 

2.3 引腳功能說明

2.4 工做時序圖

圖2-2 輸入輸出時序圖

如圖所示當SD爲高電平時，不管輸入HIN(LIN)的電平如何變化，輸出HO(LO)均爲低電平，因此在具體使用的時候能夠經過控制SD引腳來實現封波控制。當SD爲高電平時，輸入HIN(LIN)和輸出HO(LO)同向變化。

2.5 手冊波形解讀

2.5.1 開關時間波形

圖2-3開關時間波形

     該波形圖反應了IR2110開關時候輸入與輸出電平變化的延遲。ton爲開通傳播演示，定義爲輸入電平上升到50%到輸出變化到10%之間的傳播時間；tr爲開通上升時間，定義爲輸出從10%上升到90%所使用的時間；toff爲關斷傳播時間，tf爲關斷延遲時間。

    ton、toff均與溫度、供電電壓VDD、VCC/VBC供電電壓有關。tf、tr僅與溫度和供電電壓有關。相關性以下圖所示。

    ton變化曲線

ton與溫度的變化關係	ton與VCC/VBS供電電壓的關係	ton與VDD供電電壓的關係

圖2-4 ton變化曲線

toff變化曲線

toff與溫度的關係	toff與VCC/VBS的供電電壓的關係	toff與VDD的供電電壓的關係

圖2-5 toff變化曲線

tr變化曲線

       

tr與溫度的關係	tr與VCC/VBS的供電電壓的關係

圖2-6 tr變化曲線

tf變化曲線

tf與溫度的關係	tf與VCC/VBS的供電電壓的關係

2.5.2 封波鎖存波形圖2-7 tf變化曲線

圖2-8 封波鎖存

封波傳輸延遲時間tsd定義爲SD信號的50%到輸出信號的90%之間的時間。tsd與溫度，VDD，VCC/VBS之間的關係如圖2-9所示。

tsd 與溫度的關係	tsd與VCC/VBS供電電壓的關係	tsd與VDD電壓的關係

圖2-9 tsd變化曲線

延遲匹配波形MT爲LO和HO同時由低變高10%處對應的時間延遲或者由高到低90%處對應的時間延遲

圖2-10 延遲匹配波形