[轉載]NOR和NAND 存儲器的聯繫與區別

轉載了，對於我理解兩種Flash起到了幫助，但願博主繼續再接再礪，更新博文

原文地址：NOR和NAND 存儲器的聯繫與區別 做者：暴走的工程師

1、類型理解

    分爲NOR（或非）    NAND（與非）

2、接口理解

    NOR（或非）----地址、數據總線分開；

    NAND（與非）----地址、數據總線共用。

3、讀寫單位：

    NOR（或非）----字節；

    NAND（與非）----頁。

4、組成結構：

    NOR（或非）----扇區、字節；

    NAND（與非）----塊、頁；

5、擦除單位：

    NOR（或非）----扇區；

    NAND（與非）----塊；

6、原理區別：

A、FLASH區別EEPROM

    他們的存儲單元基本一致，只是FLASH的存儲單元的源極都是連在一塊兒的，所以，擦除是會一塊兒擦除，

    而EEPROM是能夠按字節獨立擦除的，

    EEPROM,EPROM,FLASH都是基於一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結構。

    EPROM的浮柵處於絕緣的二氧化硅層中，充入的電子只能用紫外線的能量來激出，

    EEPROM的單元是由FLOTOX(Floating-gate tuneling oxide transister)及一個附加的Transister組成，因爲FLOTOX的特性及兩管結構，因此能夠單元讀/寫。

技術上，FLASH是結合EPROM和EEPROM技術達到的，不少FLASH使用雪崩熱電子注入方式來編程，擦除和EEPROM同樣用Fowler-Nordheim tuneling。

但主要的不一樣是，FLASH對芯片提供大塊或整塊的擦除，這就下降了設計的複雜性，它能夠不要EEPROM單元裏那個多餘的Tansister，因此能夠作到高集成度，大容量，另FLASH的浮柵工藝上也不一樣，寫入速度更快。

B、NOR區別NAND

    尋址：NAND每次讀取數據時都是制定 塊地址、頁地址、列地址，列地址就是讀的頁內起始地址，每次都是先將數據讀入頁緩衝區內，再由I/O輸入地址在緩衝區內尋址，其實這裏列地址，只是指定起始地址的做用

        一、NAND是以頁爲基本單位操做的。寫入數據也是首先在頁面緩衝區內緩衝，數據首先寫入這裏，再寫命令後，再統一寫入頁內，所以每次改寫一個字節，都要重寫整個頁，由於它只支持頁寫，並且若是頁內有未擦除的部分，則沒法編程，在寫入前必須保證頁是空的。

        所以NAND頁緩衝區的做用就是，保證芯片的按頁的讀、寫操做，是I/O操做與芯片操做的接口、橋樑，由於數據是從I/O輸入的又是每次一個字節，所以須要緩衝。

        二、NOR則是字節爲基本單位操做的，能夠字節寫、讀，但擦除是扇區操做的。

綜上所述在芯片操做上，NAND要比NOR快不少，由於NAND是頁操做的而NOR是字節操做的。

   

7、應用：
    NAND 正是基於這種構造：塊、頁，沒法字節尋址，頁讀寫自己就靠的是內部複雜的串、並行轉換 ，所以也沒有不少地址引腳，因此其地址、數據線共用，因此容量能夠作的很大 。

    NOR 是和SRAM同樣的可隨機存儲的，也不須要驅動，所以，其地址就有限，因此容量廣泛較小，實際上是受限於地址線。

    再就是NAND 壞區較多，

    基於以上幾點，在工業領域，NOR 用的較多，特別是程序存儲，少許數據存儲等。

    在消費領域，大量數據存儲，NAND較多。



補充：09.04.2012

Nand Flash 和 NorFlash都是Flash的一種，都是內存，可是Nand Flash通常比較大，而Nor Flash比較小，而且NorFlash比較貴，而且Nor Flash寫的速度比較慢，但讀的速度比較快，而Nand Flash讀的速度比較慢，寫的速度比較快。

Nand Flash通常是用來存儲數據，而Nor Flash是用來執行程序。同時，Nor Flash讀取速度稍微快於Nand Flash，而Nand Flash在寫入速度和擦出速度比Nor 快得多。