STT-MRAM存在的兩個弊端

隨着自旋轉移矩效應的發現以及材料和結構的優化，基於自旋轉移矩效應的STT-MRAM器件應運而生。自從自旋轉移矩效應被證實以來，一方面研究人員通過大量的努力嘗試降低磁化反轉的臨界電流，增加熱穩定性. 早期的磁隧道結采用面內磁各向異性（In-Plane Magnetic Anisotropy）。它存在如下兩個弊端： 1）隨着工藝減小，熱穩定性惡化。採用面內磁各向異性磁隧道結的存儲壽命取決於熱穩定性勢壘

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