半導體物理學——（二）半導體中雜誌和能級缺陷

實際半導體與理想半導體的區別 理想半導體：假設晶格原子嚴格按照週期性排列並靜止在格點位置上，實際半導體中原子不是靜止的，而是在其平衡位置附近振動。 理想半導體是純淨不含雜質的，實際半導體含有若干雜質。 理想半導體的晶格結構是完整的，實際半導體中存在點缺陷線缺陷面缺陷等。 雜質分類 淺能級雜質的計算（雜質電離能） 雜質的補償作用施主雜質與受主雜質之間有相互抵消的作用 雙性行爲Si(+4)在AsGe中

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