MSP430F5438A 內存Flash 讀寫操作

http://blog.csdn.net/u013025203/article/details/54138190 1、msp430的存儲結構採用馮.依曼結構，即RAM和Flash在同一個尋址空間內統一編址，沒有代碼空間和數據空間之分。 2、Flash是以段爲爲基本結構進行存儲的。總體上分三部分：            Flash主存儲區：  用於存儲程序代碼，被分成4個扇區，每個扇區分128seg

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