內存的分類

按內存條的接口形式，常見內存條有兩種：單列直插內存條（SIMM），和雙列直插內存條（DIMM）。SIMM內存條分爲30線，72線兩種。DIMM內存條與SIMM內存條相比引腳增長到168線。DIMM可單條使用，不一樣容量可混合使用，SIMM必須成對使用。

按內存的工做方式，內存又有FPA EDO DRAM和SDRAM（同步動態RAM）等形式。

FPA（FAST PAGE MODE）RAM 快速頁面模式隨機存取存儲器：這是較早的電腦系統普通使用的內存，它每一個三個時鐘脈衝週期傳送一次數據。

EDO（EXTENDED DATA OUT）RAM 擴展數據輸出隨機存取存儲器：EDO內存取消了主板與內存兩個存儲週期之間的時間間隔，他每一個兩個時鐘脈衝週期輸出一次數據，大大地縮短了存取時間，是存儲速度提升30%。EDO通常是72腳，EDO內存已經被SDRAM所取代。

S（SYSNECRONOUS）DRAM 同步動態隨機存取存儲器：SDRAM爲168腳，這是目前PENTIUM及以上機型使用的內存。SDRAM將CPU與RAM經過一個相同的時鐘鎖在一塊兒，使CPU和RAM可以共享一個時鐘週期，以相同的速度同步工做，每個時鐘脈衝的上升沿便開始傳遞數據，速度比EDO內存提升50%。

DDR（DOUBLE DATA RAGE）RAM ：SDRAM的更新換代產品，他容許在時鐘脈衝的上升沿和降低沿傳輸數據，這樣不須要提升時鐘的頻率就能加倍提升SDRAM的速度。

RDRAM（RAMBUS DRAM） 存儲器總線式動態隨機存取存儲器；RDRAM是RAMBUS公司開發的具備系統帶寬，芯片到芯片接口設計的新型DRAM，他能在很高的頻率範圍內經過一個簡單的總線傳輸數據。他同時使用低電壓信號，在高速同步時鐘脈衝的兩邊沿傳輸數據。INTEL將在其820芯片組產品中加入對RDRAM的支持。 因爲這種內存的價格太過昂貴，在pc機上已經見不到他的蹤跡。

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代內存技術標準，它與上一代DDR內存技術標準最大的不一樣就是，雖然同是採用了在時鐘的上升/降低延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍於上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據讀預取）。換句話說，DDR2內存每一個時鐘可以以4倍外部總線的速度讀/寫數據，而且可以之內部控制總線4倍的速度運行。 此外，因爲DDR2標準規定全部DDR2內存均採用FBGA封裝形式，而不一樣於目前普遍應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝能夠提供了更爲良好的電氣性能與散熱性，爲DDR2內存的穩定工做與將來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程，從第一代應用到我的電腦的DDR200通過DDR26六、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難經過常規辦法提升內存的工做速度；隨着Intel最新處理器技術的發展，前端總線對內存帶寬的要求是愈來愈高，擁有更高更穩定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。