CMOS反相器之功耗分析

CMOS反相器的傳播延時取決於它分別通過PMOS和NMOS管充電和放電負載電容CL所需要的時間。說明使CL儘可能小是實現高性能CMOS電路的關鍵。 可以用以下方式減小一個門的傳播延時： （1）減小CL：該負載電容由三個主要部分組成：門本身的內部擴散電容、互聯線電容和扇出電容。 （2）增加晶體管的W/L比 （3）提高VDD 反相器的延時只取決於它的外部負載電容與輸入電容之間的比值。 動態功耗 由充放

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