研究進展：高探測性能SACM型雪崩光電探測器結構優化方案

基於Crosslight先進的半導體器件仿真設計平臺，我司技術團隊已開發出可靠精準的雪崩光電探測器模型，在低反向偏壓下，暗電流在2.5 nA/cm2左右，隨着反向偏壓慢慢增加，暗電流緩慢增加，直到反向偏壓增加到161 V時，器件發生雪崩擊穿，造成暗電流驟增，280 nm波長的峯值響應度爲0.11 A/W，仿真計算數據與實驗測試數據高度吻合。同時技術團隊還針對於SACM型雪崩光電探測器做了深入系統的

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